Substrato doppio lucidato tipo N silicio tipo si tipo SIC Wafer in metallo duro Semiconductor

Substrato doppio lucidato tipo N silicio tipo SiC Wafer in metallo duro Semiconductor - Siamo una fabbrica specializzata nella produzione di wafer in metallo duro per semiconduttori.
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Dettagli prodotti

Informazioni di Base.

Model No.
silicon carbide
Modello
4h-N
Numero di lotto
No
Marca
No
grado
P & D Grade
specifiche
4 Inches 6 Inches etc
materia prima
6n Sic
tipi
N or Si
Pacchetto di Trasporto
Foam Bag
Specifiche
4 6 inches
Marchio
No
Origine
China
Codice SA
3818009000
Capacità di Produzione
5000 PCS

Descrizione del Prodotto

Dettagli sul prodotto
Il carburo di silicio (SiC)   è noto come materiale di nucleo del semiconduttore di terza generazione.  Ha molte  caratteristiche eccezionali, come alta tensione, alta frequenza, elevata larghezza di banda, elevata conducibilità termica, campo  elettrico a rottura elevata e  tasso di saturazione elettronica.

Specifica ( substrato SiC)
Specifiche 4  pollici 6 pollici
Diametro 100.0 mm +0.0/-0,5 mm 150 mm/153 mm +0.0/-0,5 mm
Spessore 500.0  μm ± 25.0 μm     o    350.0 μm ± 25.0 μm
 
Double Polished Substrate N Type Si Type Sic Wafer Silicon Carbide Wafer SemiconductorInformazioni sul parametro: Sono elencate SOLO le specifiche da 4 pollici, 6 pollici; per altre specifiche, non esitate a contattarci per ulteriori dettagli.
Informazioni sull'ordinazione: Possiamo elaborare in base alle esigenze del cliente specifiche, precisione, ecc.

 
Double Polished Substrate N Type Si Type Sic Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconductor
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Double Polished Substrate N Type Si Type Sic Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconductor
 
Pacchetto del prodotto
Double Polished Substrate N Type Si Type Sic Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconductor
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Applicazione
Double Polished Substrate N Type Si Type Sic Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconductor

Abbiamo carburo di silicio nero e verde, che include non solo abrasivi, ma anche metallurgici, refrattari e SiC 4N 5N 6N ad alta purezza.
Profilo aziendale

Baotong Silicon Carbide New Material Co., Ltd. È un'impresa che integra produzione, lavorazione e vendite di carburo di silicio. Il nostro produttore dispone di una linea di produzione di fusione in carburo di silicio nero 26000Kva e 12500kva ed è dotato di attrezzature per la lavorazione di sabbia a segmenti e polveri fini, che possono essere personalizzate in base alle esigenze del cliente. Granularità di elaborazione.

Per soddisfare ulteriormente le esigenze dei nostri clienti in materia di carburo di silicio, Baotong ha realizzato una nuova linea di fusione in carburo di silicio 40000Kva, che è stata messa in uso, e la produzione mensile di blocchi di carburo di silicio ha raggiunto le 6000-7000 tonnellate.

Double Polished Substrate N Type Si Type Sic Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconductor
 
I nostri vantaggi
• Prezzo competitivo
• molti Specs Stock Goods
• 40+ Partner stabili in tutto il mondo
• 11 anni di esperienza nella produzione e esportazione
• Team maturi di R&D e QC per garantire il buono & Qualità stabile
Accoglienza clienti
Double Polished Substrate N Type Si Type Sic Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconductor
FAQ
D1: Siete società di trading o produttore?
R: Siamo produttori.

D2: I campioni sono liberi o no?
R: Il campione può essere gratuito. Solo la spedizione deve essere pagata dal vostro lato.  

D3. È possibile personalizzare la dimensione o i parametri della grana in base alle proprie esigenze?
R: Sì, possiamo personalizzare.

D4. Provate tutte le vostre merci prima della consegna?
R: Disponiamo di laboratori per testare le proprietà chimiche e fisiche del nostro SiC. Effettueremo test ripetuti durante la produzione e prima della spedizione per garantire che il prodotto soddisfi gli standard stabiliti.
 
Non vediamo l'ora di ricevere la tua richiesta.
Non esitate a chiedermi se avete domande. Grazie ^^

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